DIN 50454-1-2000 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物单晶体错位的测定.第1部分:砷化镓

作者:标准资料网时间:2024-05-15 12:42:28 浏览:9123 来源:标准资料网

【英文标准名称】:Testingofmaterialsforsemiconductortechnology-DeterminationofdislocationsinmonocrystalsofIII-V-compoundsemi-conductors-Part1:Galliumarsenide
【原文标准名称】:半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物单晶体错位的测定.第1部分:砷化镓
【标准号】:DIN50454-1-2000
【标准状态】:作废
【国别】:德国
【发布日期】:2000-07
【实施或试行日期】:
【发布单位】:德国标准化学会(DE-DIN)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:半导体;方向;半导体合成体;蚀刻;腐蚀检查;单晶;错位腐蚀斑;蚀斑密度;刻蚀技术;不合格的材料;砷化镓;错位置;半导体工艺;试验;定义;缺陷;尺寸;表面;材料试验
【英文主题词】:Defects;Definition;Definitions;Dimensions;Direction;Dislocations;Dislocationsetchpits;Etchdensity;Etchinspection;Etchtechniques;Etching;Faultymaterial;Galluimarsenide;Materialstesting;Semiconductorcompounds;Semiconductortechnology;Semiconductors;Singlecrystal;Surfaces;Testing
【摘要】:Thestandardspecifiesamethodfortherevelationofdislocationsinmonocrystals,bar-shapedofgalliumarsenidespecimenswithpolished,polished-etched,orsawedsurfaceorientedin(111)-Gaand(100)crystalplanesusingstructureetchingandthedetermiantionofthedensityonthesurfaceandthelocaldistrubutionofthesedislocations.#,,#
【中国标准分类号】:H83
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:9P;A4
【正文语种】:德语

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